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MOS ICs & Technology for Android APK

Editore: Two Minds Technology
Android APK Free
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Tipo di fileAPK
Versione5.3
Editore Two Minds Technology
Data di rilascio11 mag 2017
Data aggiunta11 mag 2017
Requisiti del sistema operativoAndroid
RequisitiNone
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PrezzoFree

Descrizione

Note su circuiti integrati MOS (circuito integrato) e tecnologia per un facile apprendimento e un apprendimento rapido. Questa App è in realtà un manuale GRATUITO, che copre tutti gli argomenti dell'argomento. Puoi considerare questa app come una nota con cui i professori guidano in una classe.

Puoi facilmente superare e superare gli esami e i colloqui se hai questa app sul tuo cellulare e fornisci una panoramica per alcuni giorni.

Copre in dettaglio 114 argomenti di circuiti integrati Mos e tecnologia. Questi 114 argomenti sono suddivisi in 8 unità

Alcuni degli argomenti trattati in questa applicazione sono:

1. La legge di Moore.

2. Confronto delle tecnologie disponibili

3. Transistori MOS di base

4. Modalità potenziamento Azione transistor:

5. Fabbricazione NMOS:

6. Fabbricazione CMOS - PROCESSO P-WELL

7. PROCESSO di fabbricazione CMOS-N-WELL:

8. Processo di fabbricazione CMOS-Twin-tub

9. Tecnologia Bi-CMOS: - (CMOS bipolare):

10. Produzione di maschere e-beam

11. Introduzione al transistor MOS

12. Rapporto tra Vgs e Ids, per un Vds fisso

13. Equazioni MOS (equazioni DC di base):

14. Effetti del secondo ordine

15. CARATTERISTICHE DELL'INVETER CMOS

16. Caratteristiche CC dell'inverter

17. Derivazione grafica delle caratteristiche CC dell'inverter

18. Margine di rumore

19. Inverter MOS a carico statico

20. Cancelli di trasmissione

21. Inverter tristato

22. Diagrammi stick: codifiche per il processo NMOS

23. Codifiche per processo CMOS

24. Codifica per BJT e MOSFET

25. Stile di design NMOS e CMOS

26. Regole di progettazione

27. Via

28. Regole di progettazione basate su CMOS lambda

29. Processo CMOS Orbit 2um

30. Stima della resistenza.

31. Resistenza del foglio dei transistor mos

32. Stima della capacità

33. Ritardo

34. Ritardi inverter

35. Stima formale del ritardo

36. Guidare un grande carico capacitivo

37. Valore ottimale di f

38. Super buffer

39. Autisti Bicmos

40. Ritardo di propagazione

41. Altre fonti di capacità

42. Scelta dei livelli

43. Ridimensionamento dei dispositivi mos

44. Progettazione fisica di base una panoramica

45. Progettazione fisica di base una panoramica

46. ​​Schema e layout dei cancelli base-Inverter Gate

47. Schema e layout dei varchi di base-NAND e NOR Gate

48. Cancello di trasmissione

49. Progettazione di celle standard CMOS

50. Ottimizzazione del layout per le prestazioni

51. Linee guida generali di layout

52. Logica BICMOS

53. Pseudo nmos logica

54. Altre variazioni di pseudo nmos: logica multi-drenaggio e logica Ganged

55. Altre variazioni della logica pseudo nmos- Dynamic cmos

56. Altre variazioni di pseudo nmos- CLOCKED CMOS LOGIC (C2MOS)

57. Logica del domino CMOS

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